恰当的外延能无效地处理半导体器件造造中所面

发稿时间:2019-09-07

  本文引见操纵束外延方式正在GaAs的某些特殊概况上原位间接发展GaAs/AlAs量子线布局的几种方式,包罗采用(311)等高指数面、(001)邻晶面以及(110)解理面二次发展 ...

  用低压 MOCVD系统正在 ( 1 1 1 ) Si衬底上 ,用两步发展方式 (改变 / 流量比 )正在 3 0 0~ 4 0 0℃时外延发展了 Zn S单晶薄膜。跟着衬底温度的降 ...

  本工做采用化学气相淀积方式,以GeH4为反映气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底奉陪片,正在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延发展了Ge薄膜,并对发展机 ...

  恰当的外延能无效地处理半导体器件制制中所面对的多种矛盾。外延就是正在必然的前提下,正在...间接发展法是不颠末两头化学反映,从源间接转移到衬底上构成外延层,如束外延。间接发展法中,发展外延层所需的原子或是由含其组元的化合物(如四氯化硅 ...

  正 单晶硅基底上异质外延发展单晶金刚石薄膜具有主要的理论和现实意义,有广漠的使用前景。它是世界上手艺先辈国度沉点研究课题之一,也是材料工做者的勤奋标的目的。目前金刚石薄膜的外延仅局限 ...

  利用MOCVD间接外延r面蓝宝石衬底获得非极性a面GaN薄膜。高分辩X射线衍射发觉薄膜晶体布局的面内各向同性,操纵倒易空间法获得[0001]和[100]标的目的横向联系关系长度别离为41 ...

  本文研究了MBE凡是发展前提和氢原子辅帮发展前提下(100)、(331)、(210)、(311)等概况外延描摹的变化.原子力显微镜AFM测试的成果表白:(100)概况正在氢原子辅帮 ...

  影响间接外延发展氧化物薄膜的要素有良多,最次要的是氧化物薄膜的准确成相和正在单晶衬底上成核.间接外延发展时,衬底温度影响到薄膜的成相.衬底温度还影响薄膜的发展动力学,并因而影响 ...

  正 一、引言跟着光纤通信和集成光学的飞速成长,GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs液相外延手艺也获得了很大的进展,并成功地研制出了寿命六百万小时的半导体激光器及品种繁多的集成光 ...

  正 这里我们会商Si气相外延发展的问题。 我们晓得,对外延工艺最根基的要求就是要能切确节制外延层的厚度和外延层的单晶晶体质量。而这取外延发展速度的快慢及其切确节制间接相关。若 ...

  采用热蒸发ZnO粉末法,以金膜为催化剂,正在两片概况别离朝上和朝下的Si(100)基片上发展ZnO纳米线#)。X射线衍射(XRD)图谱上只存正在ZnO的(002 ...